Оперативная память для ноутбука Nanya nt2gc64b88b0ns-cg 2GB 2 шт
Удалён продавцом.
3 авг 2017 18:05
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Оперативная память для ноутбука Nanya nt2gc64b88b0ns-cg 2GB 2 шт
Текущая цена
600 руб.
Блиц-цена
600 руб.
Текущая цена
600 руб.
Блиц-цена
600 руб.
Удалён(3 авг 2017 18:05)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание лота
Набор: нет
Объем: 2 ГБ
Тип: DDR3 SO-DIMM?Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 – хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц - 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц - 533 МГц), а у DDR – и вовсе 200 МГц - 600 МГц (100 МГц - 300 МГц). Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.
ECC:?ECC (англ. error-correcting code, код коррекции ошибок) — данные, присоединяемые к каждому передаваемому сигналу, позволяющие принимающей стороне определить факт сбоя и (в некоторых случаях) исправить несущественную ошибку. нет
Частота: 1333 МГц
PC-индекс: PC3-10600
CAS Latency:?CAS-латентность (англ. column address strobe latency, CAS latency, CL, CAS-задержка) — это период ожидания (в циклах) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса. 9T
Напряжение питания: 1.5 В
Технические характеристики Nanya 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (NT2GC64B88B0NS-CG)
Количество банков: 1
Производитель микросхем: Nanya
Число микросхем: 8
Ёмкость микросхем: 2 Гбит
Тип микросхем: 256Mx8
Объем: 2 ГБ
Тип: DDR3 SO-DIMM?Производительность модулей памяти DDR3 в перспективе должна значительно превысить возможности нынешнего поколения памяти DDR2 – хотя бы потому, что теоретически эффективные частоты DDR3 будут располагаться в диапазоне 800 МГц – 1600 МГц (при тактовых частотах 400 МГц – 800 МГц). В то время как у DDR2 эффективные рабочие частоты составляют 400 МГц - 1066 МГц (тактовые частоты 200 МГц - 533 МГц), а у DDR – и вовсе 200 МГц - 600 МГц (100 МГц - 300 МГц). Помимо этого, память DDR3 обладает 8-битным буфером предварительной выборки, в то время как у нынешней памяти DDR2 он 4-битный, а у DDR и вовсе был 2-битный. Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.
ECC:?ECC (англ. error-correcting code, код коррекции ошибок) — данные, присоединяемые к каждому передаваемому сигналу, позволяющие принимающей стороне определить факт сбоя и (в некоторых случаях) исправить несущественную ошибку. нет
Частота: 1333 МГц
PC-индекс: PC3-10600
CAS Latency:?CAS-латентность (англ. column address strobe latency, CAS latency, CL, CAS-задержка) — это период ожидания (в циклах) между запросом процессора на получение содержимого ячейки памяти и временем, когда оперативная память сделает доступной для чтения первую ячейку запрошенного адреса. 9T
Напряжение питания: 1.5 В
Технические характеристики Nanya 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (NT2GC64B88B0NS-CG)
Количество банков: 1
Производитель микросхем: Nanya
Число микросхем: 8
Ёмкость микросхем: 2 Гбит
Тип микросхем: 256Mx8
Поделиться этим лотом: