Micron DDR-III SO-DIMM 4Gb PC3-10600 (for NoteBook)
Продан по цене «Купить сейчас».
24 июля 2017 10:34
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Micron DDR-III SO-DIMM 4Gb PC3-10600 (for NoteBook)
Цена
1 200 руб.
Цена
1 200 руб.
Продан по Блиц-цене(24 июля 2017 10:34)
Описание
Производитель Micron
Серия 204-pin SODIMM
Модель 4GB, 204-pin SODIMM, DDR3 PC3-10600 memory module
Объем модуля памяти 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тип SO-DIMM DDR3
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти PC3-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность 10667 Мб/сек
Латентность CL9
Питание
Напряжение питания 1.35 В
Логистика
Размеры упаковки (измерено в НИКСе) 5.5 x 17.7 x 1.7 см
Вес брутто (измерено в НИКСе) 0.019 кг
Проверено Memtest! В наличии 1!
Серия 204-pin SODIMM
Модель 4GB, 204-pin SODIMM, DDR3 PC3-10600 memory module
Объем модуля памяти 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тип SO-DIMM DDR3
Частота функционирования до 1333 МГц
Стандарт памяти PC3-10600 (DDR3 1333 МГц)
Пропускная способность 10667 Мб/сек
Латентность CL9
Питание
Напряжение питания 1.35 В
Логистика
Размеры упаковки (измерено в НИКСе) 5.5 x 17.7 x 1.7 см
Вес брутто (измерено в НИКСе) 0.019 кг
Проверено Memtest! В наличии 1!
Поделиться этим лотом:
Рекомендуем посмотреть
Вопросы
Привет, есть планка на 4-8гб DDR3 so-dimm ECC/REG ? На них обычно чипы в количестве не делимом на 4 на цело.
12 авг 2016 19:44
24 янв 2016 10:58
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Samsung
Тайминги памяти
@ 666 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-107-4-10-5-5-20 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Samsung
Тайминги памяти
@ 666 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-107-4-10-5-5-20 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
21 янв 2016 17:01
21 янв 2016 17:10