Начальная цена
250 руб.
Безопасная сделка с доставкой
Удалён(28 окт 2020 08:40)
1 человек минимальное кол-во участников торгов

Описание лота

Состояние
Новое
В наличие.

Серия TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 110V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 90nC @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 75A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4900pF @ 25V
FET Polarity N-Channel
FET Feature Standard
Power - Max 300W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220AB-3
Встречается под наим. PSMN015-110P, PSMN015-110P-ND

Многие любители высококачественного звуковоспроизведения оценивают усилитель на полевых MOSFET транзисторах на уровне ламповых и даже выше, мотивируя, что по сравнению с усилителями на биполярных транзисторах они выдают более красивое - "мягкое / ламповое" звучание, создают меньше искажений и устойчивы к долговременной перегрузке. Они превосходят классические ламповые усилители, как по коэффициенту демпфирования, так и по передаче низких и высоких частот. Частота среза таких усилителей (без ООС) значительно выше, чем у каскодного усилителя на биполярных транзисторах, что благоприятно сказывается на искажениях.

Управление выходным током у полевых MOSFET транзисторов осуществляется входным напряжением, благодаря этому быстродействие в режиме коммутации достаточно высокое, так как основных носителей заряда в цепи затвора нет. В результате упрощается общая схема включения, по сравнению с биполярным транзистором.

Ничтожно маленький управляющий ток затвора транзистора способствует установлению высокого входного сопротивление, что даёт возможность применять разделительно - переходной конденсатор очень маленькой и качественной ёмкости, это удешевляет всю конструкцию усилителя и оказывает положительное влияние на качество звукоусиления.

Мощные полевые MOSFET транзисторы имеют меньший разброс основных параметров, чем биполярные транзисторы, что как бы облегчает их параллельное включение и уменьшает общее выходное сопротивление усилителя мощности (без ООС). Но на практике, это не всегда так (см. ниже).

Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума - это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами.

С практической точки зрения выявляются существенные недостатки MOSFET транзисторов, которые ограничивают их применение в мощных усилительных выходных каскадах.

Поделиться этим лотом:

Вопросы

Новый вопрос

осталось 2800 символов