Тип ЦПDualCore Intel Core 2 Duo E6750
Торги завершены. Лот не продан.
13 авг 2010 10:58
Возможно, продавец снова выставит его на торги позже. Напишите ему.
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Тип ЦПDualCore Intel Core 2 Duo E6750
Начальная цена
3 000 руб.
Блиц-цена
3 500 руб.
Начальная цена
3 000 руб.
Блиц-цена
3 500 руб.
Торги завершены(13 авг 2010 10:57)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание лота
Состояние | Б/у |
проц в отлином рабочем состоянии больше интересует обмен на 4х ядерныи интел.
Свойства ЦП
Тип ЦПDualCore Intel Core 2 Duo E6750, 3200 MHz (8 x 400)
Псевдоним ЦПConroe
Степпинг ЦПG0
Наборы инструкцийx86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3
Исходная частота2667 МГц
Мин./макс. множитель ЦП6x / 8x
Engineering SampleНет
Кэш L1 кода32 Кб per core
Кэш L1 данных32 Кб per core
Кэш L24 Мб (On-Die, ECC, ASC, Full-Speed)
Multi CPU
ID системной платыTEMPLATE ETEMPLATE
CPU #1Intel(R) Core(TM)2 Duo CPU E6750 @ 2.66GHz, 3200 МГц
CPU #2Intel(R) Core(TM)2 Duo CPU E6750 @ 2.66GHz, 3200 МГц
Физическая информация о ЦП
Тип корпуса775 Contact LGA
Размеры корпуса3.75 cm x 3.75 cm
Число транзисторов291 млн.
Технологический процесс8M, 65 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, 2nd Gen Strained Si
Размер кристалла143 mm2
Напряжение питания ядра1.350 V
Напряжение I/O1.350 V
Типичная мощность65 W @ 2.66 GHz
Максимальная мощность99.4 W @ 2.66 GHz
Свойства ЦП
Тип ЦПDualCore Intel Core 2 Duo E6750, 3200 MHz (8 x 400)
Псевдоним ЦПConroe
Степпинг ЦПG0
Наборы инструкцийx86, x86-64, MMX, SSE, SSE2, SSE3, SSSE3
Исходная частота2667 МГц
Мин./макс. множитель ЦП6x / 8x
Engineering SampleНет
Кэш L1 кода32 Кб per core
Кэш L1 данных32 Кб per core
Кэш L24 Мб (On-Die, ECC, ASC, Full-Speed)
Multi CPU
ID системной платыTEMPLATE ETEMPLATE
CPU #1Intel(R) Core(TM)2 Duo CPU E6750 @ 2.66GHz, 3200 МГц
CPU #2Intel(R) Core(TM)2 Duo CPU E6750 @ 2.66GHz, 3200 МГц
Физическая информация о ЦП
Тип корпуса775 Contact LGA
Размеры корпуса3.75 cm x 3.75 cm
Число транзисторов291 млн.
Технологический процесс8M, 65 nm, CMOS, Cu, Low-K Inter-Layer, 2nd Gen Strained Si
Размер кристалла143 mm2
Напряжение питания ядра1.350 V
Напряжение I/O1.350 V
Типичная мощность65 W @ 2.66 GHz
Максимальная мощность99.4 W @ 2.66 GHz
Поделиться этим лотом: