Транзистор КТ837Б

КТ837Б

Транзисторы КТ837Б кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Корпус пластмассовый с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 2,5 г.

Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Б :

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом