Intel® Celeron® Processor T3100 (1M Cache, 1.90 GHz, 800 MHz FSB) SLGEY
Удалён продавцом.
Описание лота
Состояние | Б/у |
Производитель процессора | Intel |
Сокет | mPGA 478 (Socket M) |
Количество ядер процессора | 2 |
Комплектующее для | Ноутбука |
Процессор
Intel mPGA 478 (Socket M) 2 Intel® Celeron™ T3100 1M Cache, 1.90 GHz, 800 MHz FSB V005V222 SLGEY AW80577T3100 1.90/1M/800
для Samsung Ноутбук R530
Характеристики
Кодовое название
Продукция с прежним кодовым названием Penryn
Вертикальный сегмент
Mobile
Процессор Номер
T3100
Состояние
Discontinued
Литография
45 nm
Производительность
Количество ядер
2
Базовая тактовая частота процессора
1,90 GHz
Кэш-память
1 MB L2
Частота системной шины
800 MHz FSB
Четность системной шины
Нет
Расчетная мощность
35 W
Диапазон напряжения VID
1.00V-1.250V
Дополнительная информация
Доступные варианты для встраиваемых систем
Да
Техническое описание
Просмотреть сейчас
Спецификации корпуса
Поддерживаемые разъемы
BGA479, PGA478
TCASE
105°C
Размер корпуса
35mm
Размер ядра процессора
107 mm2
Кол-во транзисторов в ядре процессора
410 million
Доступны опции с низким уровнем содержания галогенов
См. декларацию MDDS
Усовершенствованные технологии
Технология Intel® Turbo Boost ‡
Нет
Технология Intel® Hyper-Threading ‡
Нет
Технология виртуализации Intel® (VT-x) ‡
Нет
Архитектура Intel® 64 ‡
Да
Набор команд
64-bit
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®
Нет
Технология Intel® Demand Based Switching
Нет
Безопасность и надежность
Технология Intel® Trusted Execution ‡
Нет
Функция Бит отмены выполнения ‡
Да
Да
Требуется лицензия Macrovision*
Нет
Кол-во поддерживаемых дисплеев ‡
2
Варианты расширения
Кодовое название
Продукция с прежним кодовым названием Penryn
Вертикальный сегмент
Mobile
Процессор Номер
T3100
Состояние
Discontinued
Дата выпуска
Q3'08
Литография
45 nm
Рекомендуемая цена для покупателей
$62.00
Производительность
Количество ядер
2
Базовая тактовая частота процессора
1,90 GHz
Кэш-память
1 MB L2
Частота системной шины
800 MHz FSB
Четность системной шины
Нет
Расчетная мощность
35 W
Диапазон напряжения VID
1.00V-1.250V
Дополнительная информация
Доступные варианты для встраиваемых систем
Да
Техническое описание
Просмотреть сейчас
Спецификации корпуса
Поддерживаемые разъемы
BGA479, PGA478
TCASE
105°C
Размер корпуса
35mm
Размер ядра процессора
107 mm2
Кол-во транзисторов в ядре процессора
410 million
Доступны опции с низким уровнем содержания галогенов
См. декларацию MDDS
Усовершенствованные технологии
Технология Intel® Turbo Boost ‡
Нет
Технология Intel® Hyper-Threading ‡
Нет
Технология виртуализации Intel® (VT-x) ‡
Нет
Архитектура Intel® 64 ‡
Да
Набор команд
64-bit
Усовершенствованная технология Intel SpeedStep®
Нет
Технология Intel® Demand Based Switching
Нет
Безопасность и надежность
Технология Intel® Trusted Execution ‡
Нет
Функция Бит отмены выполнения ‡
Да
Поделиться этим лотом: