Тестер полупроводников ESR и LRC-метр LCR-T4 на процессоре ATmega 328 (КІТ)

Удалён продавцом.

28 мая 2020 12:04
Цена
1 200 руб.
Удалён(28 мая 2020 12:04)

Описание

Состояние
Новое

Тестер полупроводников ESR и LRC-метр LCR-T4 на процессоре ATmega 328 (КІТ)

Последняя версия программного обеспечение русская прошивка с функцией генератора и частотометра

Жидкокристаллический дисплей 128х64 с зеленой подсветкой.

Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.

Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.

Поставляется без корпуса (КІТ).

Питание 9V от батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).

* Разряжайте конденсаторы до тестирования!

Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.

Измеритель индуктивности

1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки. Автоматическое выключение после теста.

2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .

3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.

4. Диапазон измерения емкости составляет от 25рF до 100mF и точностью 1%.

5. Диапазон измерения индуктивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.


Тестер транзисторов

Тестер транзисторов (биполярных и полевых)

6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.

7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.

8. Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и порогового напряжения база – эмиттер.

9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.

Поделиться этим лотом:

Вопросы

Новый вопрос

осталось 2800 символов