Транзисторная сборка CM300DY-34A, 2 IGBT 1700V 300A 5-gen (A-Series)
Торги завершены. Лот не продан.
11 апр 2016 16:25
Возможно, продавец снова выставит его на торги позже. Напишите ему.
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Транзисторная сборка CM300DY-34A, 2 IGBT 1700V 300A 5-gen (A-Series)
Начальная цена
4 000 руб.
Блиц-цена
5 000 руб.
Начальная цена
4 000 руб.
Блиц-цена
5 000 руб.
Торги завершены(11 апр 2016 16:25)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание
Состояние | Б/у |
Макс.напр.к-э,В..............................................................................1700
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В..........................2.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А.........................................300
Структура модуля..........................................................................полумост
Тип силового модуля.....................................................................Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц......................................15
Входная емкость затвора,нФ.......................................................74
Драйвер управления.....................................................................внешний
Защита по току..............................................................................нет
Защита от короткого замыкания.................................................нет
Защита от перегрева....................................................................нет
Защита от пониженного напряжения питания............................нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт..............................2900
Максимальный ток эмиттера, А..................................................600
Напряжение изоляции, В.............................................................3500
Температурный диапазон,С.......................................................-40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2,4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность.
Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля.
В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В..........................2.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А.........................................300
Структура модуля..........................................................................полумост
Тип силового модуля.....................................................................Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц......................................15
Входная емкость затвора,нФ.......................................................74
Драйвер управления.....................................................................внешний
Защита по току..............................................................................нет
Защита от короткого замыкания.................................................нет
Защита от перегрева....................................................................нет
Защита от пониженного напряжения питания............................нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт..............................2900
Максимальный ток эмиттера, А..................................................600
Напряжение изоляции, В.............................................................3500
Температурный диапазон,С.......................................................-40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
Силовые IGBT модули А-серии 5-го поколения предназначены для применения в системах электропривода, сервопривода и оборудования для электросварки. Производство модулей А-серии 5-го поколения совмещает в себе две уникальных технологии: это CSTBT - Carrier Stored Trench Bipolar Transistor (траншейный транзистор с накоплением заряда), и LPT - Light Punch Through (технология легкого пробоя), что даёт низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat)= 2,4 В при температуре перехода 125оC, низкую энергию переключения E(on) и E(off), а также высокую надежность при коротком замыкании. 5-е поколение модулей А-серии благодаря особому соединению контактов и кристалла внутри модуля имеет низкую внутреннюю индуктивность.
Благодаря использованию подложки из материала AlN достигнуто превосходное тепловое сопротивление по сравнению с существующими на рынке приборами аналогичного класса. Кроме этого, получены улучшенные характеристики термоциклирования за счет внедрению технологии Wire Bumps. Такая технология позволила значительно увеличить производительность модуля.
В результаты, силовые модули Mitsubishi работают с выходными токами на 10% выше рыночных стандартов, а также имеют на 15% улучшенное термосопротивление переход-корпус.
Поделиться этим лотом: