Транзисторная сборка CM400DY-50H 2 HV-IGBT 2500V 400A
Торги завершены. Лот не продан.
18 апр 2016 16:25
Возможно, продавец снова выставит его на торги позже. Напишите ему.
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Транзисторная сборка CM400DY-50H 2 HV-IGBT 2500V 400A
Начальная цена
10 000 руб.
Блиц-цена
11 000 руб.
Начальная цена
10 000 руб.
Блиц-цена
11 000 руб.
Торги завершены(18 апр 2016 16:25)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание
Состояние | Б/у |
Макс.напр.к-э,В..........................................................2500
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В......3.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А.....................400
Структура модуля......................................................полумост
Тип силового модуля.................................................Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц...................15
Входная емкость затвора,нФ....................................40
Драйвер управления...................................................внешний
Защита по току............................................................нет
Защита от короткого замыкания...............................нет
Защита от перегрева..................................................нет
Защита от пониженного напряжения питания..........нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт............3400
Максимальный ток эмиттера, А................................800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В........ 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В...........................2.9
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 2000
Напряжение изоляции, В...........................................6000
Температурный диапазон,С....................................-40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В......3.2
Номинальный ток одиночного тр-ра,А.....................400
Структура модуля......................................................полумост
Тип силового модуля.................................................Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц...................15
Входная емкость затвора,нФ....................................40
Драйвер управления...................................................внешний
Защита по току............................................................нет
Защита от короткого замыкания...............................нет
Защита от перегрева..................................................нет
Защита от пониженного напряжения питания..........нет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт............3400
Максимальный ток эмиттера, А................................800
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В........ 6
Напряжение эмиттер-коллектор,В...........................2.9
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс 2000
Напряжение изоляции, В...........................................6000
Температурный диапазон,С....................................-40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor
Поделиться этим лотом: