Транзистор PSMN2R2-40BS mosfet
Удалён продавцом.
28 окт 2020 09:26
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Транзистор PSMN2R2-40BS mosfet
Начальная цена
350 руб.
Начальная цена
350 руб.
Удалён(28 окт 2020 09:26)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание лота
Состояние | Новое |
В наличие.
Производитель NXP Semiconductors
FET Тип MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ая) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряда затвора (Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) @ Vds 8423pF @ 20V
Мощность максимальная 306W
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / блок TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Многие любители высококачественного звуковоспроизведения оценивают усилитель на полевых MOSFET транзисторах на уровне ламповых и даже выше, мотивируя, что по сравнению с усилителями на биполярных транзисторах они выдают более красивое - "мягкое / ламповое" звучание, создают меньше искажений и устойчивы к долговременной перегрузке. Они превосходят классические ламповые усилители, как по коэффициенту демпфирования, так и по передаче низких и высоких частот. Частота среза таких усилителей (без ООС) значительно выше, чем у каскодного усилителя на биполярных транзисторах, что благоприятно сказывается на искажениях.
Управление выходным током у полевых MOSFET транзисторов осуществляется входным напряжением, благодаря этому быстродействие в режиме коммутации достаточно высокое, так как основных носителей заряда в цепи затвора нет. В результате упрощается общая схема включения, по сравнению с биполярным транзистором.
Ничтожно маленький управляющий ток затвора транзистора способствует установлению высокого входного сопротивление, что даёт возможность применять разделительно - переходной конденсатор очень маленькой и качественной ёмкости, это удешевляет всю конструкцию усилителя и оказывает положительное влияние на качество звукоусиления.
Мощные полевые MOSFET транзисторы имеют меньший разброс основных параметров, чем биполярные транзисторы, что как бы облегчает их параллельное включение и уменьшает общее выходное сопротивление усилителя мощности (без ООС). Но на практике, это не всегда так (см. ниже).
Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума - это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами.
С практической точки зрения выявляются существенные недостатки MOSFET транзисторов, которые ограничивают их применение в мощных усилительных выходных каскадах.
Производитель NXP Semiconductors
FET Тип MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ая) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Заряда затвора (Qg) @ Vgs 130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) @ Vds 8423pF @ 20V
Мощность максимальная 306W
Тип монтажа Surface Mount
Упаковка / блок TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Многие любители высококачественного звуковоспроизведения оценивают усилитель на полевых MOSFET транзисторах на уровне ламповых и даже выше, мотивируя, что по сравнению с усилителями на биполярных транзисторах они выдают более красивое - "мягкое / ламповое" звучание, создают меньше искажений и устойчивы к долговременной перегрузке. Они превосходят классические ламповые усилители, как по коэффициенту демпфирования, так и по передаче низких и высоких частот. Частота среза таких усилителей (без ООС) значительно выше, чем у каскодного усилителя на биполярных транзисторах, что благоприятно сказывается на искажениях.
Управление выходным током у полевых MOSFET транзисторов осуществляется входным напряжением, благодаря этому быстродействие в режиме коммутации достаточно высокое, так как основных носителей заряда в цепи затвора нет. В результате упрощается общая схема включения, по сравнению с биполярным транзистором.
Ничтожно маленький управляющий ток затвора транзистора способствует установлению высокого входного сопротивление, что даёт возможность применять разделительно - переходной конденсатор очень маленькой и качественной ёмкости, это удешевляет всю конструкцию усилителя и оказывает положительное влияние на качество звукоусиления.
Мощные полевые MOSFET транзисторы имеют меньший разброс основных параметров, чем биполярные транзисторы, что как бы облегчает их параллельное включение и уменьшает общее выходное сопротивление усилителя мощности (без ООС). Но на практике, это не всегда так (см. ниже).
Высокая температурная стабильность, малая мощность управления, слабая подверженность к пробою, самоограничение тока стока, высокое быстродействие в режиме коммутации, малый уровень шума - это основные преимущества полевых MOSFET транзисторов перед вакуумными приборами и биполярными транзисторами.
С практической точки зрения выявляются существенные недостатки MOSFET транзисторов, которые ограничивают их применение в мощных усилительных выходных каскадах.
Поделиться этим лотом: