PUMD9 (NPN/PNP цифровые транзисторы)
Торги завершены. Лот не продан.
9 фев 2020 13:10
Возможно, продавец снова выставит его на торги позже. Напишите ему.
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Начальная цена
25 руб.
Торги завершены(9 фев 2020 13:10)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание лота
Состояние | Новое |
www.nxp.com/documents/data_sheet/PEMD9_PUMD9.pdf
Транзисторная пара в корпусе SOT363
Характеристики:
VCBO collector-base voltage open emitter - 50 V
VCEO collector-emitter voltage open base - 50 V
VEBO emitter-base voltage open collector - 6 V
Io output current - 100 mA
Icbo collector-base cut-off current VCB = 50 V; IE = 0 A - 100 nA
Iceo collector-emitter cut-off current VCE = 30 V; IB =0A - 1 uA
Iebo emitter-base cut-off current VEB = 5 V; IC = 0 A - 150 uA
hFE DC current gain VCE = 5 V; IC = 5 mA 100
Применение:
Ключевые схемы и пр.
Транзисторная пара в корпусе SOT363
Характеристики:
VCBO collector-base voltage open emitter - 50 V
VCEO collector-emitter voltage open base - 50 V
VEBO emitter-base voltage open collector - 6 V
Io output current - 100 mA
Icbo collector-base cut-off current VCB = 50 V; IE = 0 A - 100 nA
Iceo collector-emitter cut-off current VCE = 30 V; IB =0A - 1 uA
Iebo emitter-base cut-off current VEB = 5 V; IC = 0 A - 150 uA
hFE DC current gain VCE = 5 V; IC = 5 mA 100
Применение:
Ключевые схемы и пр.
Поделиться этим лотом: