Транзистор КТ805ВМ

Транзисторы КТ805ВМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).

Импортный аналог: BD720.

Основные технические характеристики транзистора КТ805ВМ:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 мА (60В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:

КТ805ВМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;

Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;

8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;

05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;

В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;

М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

Наглядно на фото. Цена за штуку.