Транзисторы П609 германиевые структуры p-n-p универсальные.

Транзисторы П609 германиевые структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 100 МГц. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора с жесткими выводами не более 12,0 г

Зарубежный аналог: 2SA374.

Основные технические характеристики транзистора П609:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;

• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 300 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 240;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом.

Расшифровка маркировки биполярного транзистора:

П609 П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор;

609 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 601 до 699 - германиевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты;

- буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

Цена за штуку. Наглядно на фото.