HY1001 mosfet транзистор
Этот лот уже не продается, но мы нашли для вас похожие
Зарядное ChDiNi-220-14,4v
1 200 руб.Материнская плата Gigabyte 7NF-RZ
499 руб.Клавиатура Hewlett packard C1405B USSR
4 999 руб.Системный блок pentium 4
1 390 руб.Плата микроволновой печи Samsung
299 руб.Стоп фонари Toyota harrier
499 руб.Реле Omron G6H-2F
199 руб.Держатель сим карты
80 руб.HY1001 mosfet транзистор
Начальная цена
100 руб.
Блиц-цена
110 руб.
Начальная цена
100 руб.
Блиц-цена
110 руб.
Торги не состоялись(9 авг 2023 18:38)
1 человек минимальное кол-во участников торгов
Описание
Состояние | Новое |
Тип выводов | Для монтажа в отверстие |
Наименование прибора: HY1001P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 105 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 70 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 75 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 83 nC
Время нарастания (tr): 15.6 ns
Выходная емкость (Cd): 300 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO220
Зарядное ChDiNi-220-14,4v
1 200 руб.Материнская плата Gigabyte 7NF-RZ
499 руб.Клавиатура Hewlett packard C1405B USSR
4 999 руб.Системный блок pentium 4
1 390 руб.Плата микроволновой печи Samsung
299 руб.Стоп фонари Toyota harrier
499 руб.Реле Omron G6H-2F
199 руб.Держатель сим карты
80 руб.Поделиться этим лотом: