Транзистор П215 германиевый, структуры p-n-p

П215

Транзисторы П215 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.

Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».

Технические условия:

- приемка «1» аА0.336.123ТУ;

- приемка «5» СИ3.365.012ТУ;

- приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Зарубежный аналог: 2N2660, 2N2661, 2N2667, 6NU73, 7NU73, AD439, AD469, GD244.

Основные технические характеристики транзистора П215:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 150;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом