Транзисторы П605 (ВП) германиевые структуры p-n-p

П605 (для военной промышленности)

Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц.

Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами.

Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Масса транзистора с жесткими выводами не более 11,0 г, с гибкими выводами не более 12,0 г.

Климатическое исполнение: «УХЛ».

Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».

Технические условия:

- приемка «1» ЩБ3.365.043ТУ;

- приемка «5» ЩБ3.365.014ТУ;

- приемка «9» ЩБ3.365.014ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П605:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1500 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2000 мкА;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 130 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Цена за штуку.