Транзисторы 2Т809А

КТ809А

Транзисторы КТ809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.

Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.

Масса накидного фланца не более 12 г.

Тип корпуса: КТЮ-3-20.

Технические условия: аА0.365.003 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ809А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом

Цена за штуку.