PK650BA ( PK650 BA ) N-Channel Mosfet

PK650BA N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 30V 3.3mΩ @VGS = 10V

Наименование прибора: PK650BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 70 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 311 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P