Оперативная память Samsung [M378A5244CB0-CRC] 4 ГБ

Описание Оперативная память Samsung [M378A5244CB0-CRC] 4 ГБ

Оперативная память Samsung [M378A5244CB0-CRC] 4 ГБ успешно сочетает в себе низкое энергопотребление, высокую плотность и повышенную пропускную способность. Представленная модель станет необходимым комплектующим элементом, требующимся вам при сборке офисной или домашней компьютерной машины. Устройство совместимо с системами, поддерживающими тип памяти DDR4. Данная плашка оперативной памяти изготовлена в соответствии с форм-фактором DIMM. Комплект поставки состоит из одного модуля оперативной памяти, обладающего объемом 4 ГБ.

Samsung [M378A5244CB0-CRC] отличает повышенная тактовая частота, достигающая 2400 МГц. Предусматривается поддержка работы на частотах 1600 МГц, 1866 МГц, 2133 МГц и 2400 МГц. Пропускная способность этой модели не разочарует требовательного пользователя и соответствует PC19200. Тайминги у представленной плашки ОЗУ следующие: 17-17-17. Следует отметить, что данный модуль ОЗУ не имеет низкопрофильной конструкции, его высота равняется 21.25 мм. Несмотря на высокие технические характеристики, модель имеет низкое напряжение питания, не превышающее 1.2 В.

Характеристики:

Общие параметры Модель Samsung

Код производителя [M378A5244CB0-CRC]

Год релиза 2017

Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM

Регистровая память нет

ECC-память нет

Объем одного модуля памяти 4 ГБ

Количество модулей в комплекте 1 шт

Быстродействие Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность PC19200

Профили Intel XMP нет

Поддерживаемые режимы работы 2400 МГц, 2133 МГц, 1866 МГц, 1600 МГц

Тайминги CAS Latency (CL) 17RAS to CAS Delay (tRCD) 17Row Precharge Delay (tRP) 17Activate to Precharge Delay (tRAS) 40

Конструкция Наличие радиатора нет Подсветка элементов платы нет Высота 31.25 мм Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.2 В