Тракзисторы - КТ828Б

Тракзисторы - КТ828Б.

Транзисторы КТ828Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.

Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, высоковольтных переключающих устройствах.

Транзисторы КТ828А, КТ828Б, КТ828В, КТ828Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.336.340 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ828Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 600 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (1400В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 2,25;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом

Наглядно на фото.

Цена за штуку.