ГТ313 А,Б,В

Транзисторы ГТ313 германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 2 г. Драгмет: Au 0.00002гр.

Технические условия: ЖК3.365.162 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора ГТ313:

• Структура: p-n-p

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;

• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц;

• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;

• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;

• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс