Транзистор 2т610а

Основные технические характеристики транзистора 2Т610А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50...250;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс

Технические характеристики транзисторов 2Т610А, 2Т610Б:

Тип

транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП

max Т

max

IК

max IК. И.

max UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК. Т. max h21Э UКЭ

нас. IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ

А А В В В Вт В мА мА мА МГц пФ пФ °С °С

2Т610А n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 50…250 - <0,5 <0,1 - >1000 <4,1 <21 150 -60…+125

2Т610Б n-p-n 0,3 - 26 26 4 1,5 20…250 - <0,5 <0,1 - >700 <4,1 <21 150 -60…+125