Микросхема к198нт1б.

Микросхемы представляют собой набор из 5-и n-p-n-транзисторов выполненных на общей подложке. Содержат 5

интегральных элементов. Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,8 г и типа 201 14-1. масса не более 1 г.

Электрическая схема К198НТ1

Назначение выводов

1 эмиттер транзистора VT3

2 база транзистора VT3

3 коллектор транзистора VT3

4 эмиттер VT5

5 база VT5

6 коллектор VT5

7 эмиттер VT4

8 база VT4

9 коллектор VT4

10 коллектор VT2

11 база VT2

12 эмиттер транзисторов VT1 и VT2

13 база VT1

14 коллектор VT1

Электрические параметры

Напряжение насыщения база-эмиттер............................................................................................................................. ≤1 В

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер................................................................................................................. ≤0,7 В

Напряжение смещения нуля дифференциальной пары................................................................................................≤4 мВ

Обратный ток коллектора........................................................................................................................................ ≤0,04 мкА

Статический коэффициент передачи тока:

К198НТ1А, КР198НТ1А ................................................................................................................................. 20...125

К198НТ1Б, КР198НТ1Б ................................................................................................................................. 60...250

Разброс коэффициента передачи тока дифференциальной пары.................................................................................≤15%

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение коллектор-база..............................................................................................................................................20 В

Напряжение эмиттер-база...................................................................................................................................................5 В

Ток коллектора................................................................................................................................................................ 10 мА

Рассеиваемая мощность одним транзистором.............................................................................................................20 мВт

Температура окружающей среды.......................................................................................................................... –45...+85°С